MOSITO-ASD: Desarrollo de herramientas para el modelado y simulación de dispositivos semiconductores avanzados: aplicación al estudio de fluctuaciones
Desarrollo de herramientas de simulación aplicado al estudio de fluctuaciones y variaciones de material en MOSFET avanzado.
Objetivos
Los objetivos del proyecto se dividen en cuatro tareas principales:
- Simulación de dispositivos basados en semiconductores ferromagnéticos
- Simulación de dispositivos de silicio y GaN utilizando el método Monte Carlo
- Simulación paralela tridimensional utilizando los modelos Drift-Diffusion (DDM) y Monte Carlo con correcciones
- Estudio de la influencia de las fluctuaciones intrínsecas de parámetros en el rendimiento de dispositivos
Proyecto
/research/projects/desenvolvemento-de-ferramentas-para-a-modelaxe-e-simulacion-de-dispositivos-semiconductores-avanzados-aplicacion-ao-estudo-de-flutuacions
<p>Desarrollo de herramientas de simulación aplicado al estudio de fluctuaciones y variaciones de material en MOSFET avanzado.</p><p>Los objetivos del proyecto se dividen en cuatro tareas principales:</p><ol><li>Simulación de dispositivos basados en semiconductores ferromagnéticos</li><li>Simulación de dispositivos de silicio y GaN utilizando el método Monte Carlo</li><li>Simulación paralela tridimensional utilizando los modelos Drift-Diffusion (DDM) y Monte Carlo con correcciones</li><li>Estudio de la influencia de las fluctuaciones intrínsecas de parámetros en el rendimiento de dispositivos</li></ol> - Antonio García Loureiro - Enrique Comesaña Figueroa, Natalia Seoane Iglesias
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