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  • AutoríaM. Aldegunde, A.J. García Loureiro, N. Seoane, R. Valín, K. Kalna
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  • Fuente7th Workshop of the Thematic Network on Silicon On Insulator Technology, Devices and Circuits. Granada, Spain. 2011
Ámbitos científicos
  • Computación de altas prestaciones
  • Tecnologías lingüísticas

3D Monte Carlo simulations of a 25 nm gate length SOI FinFET using unstructured tetrahedral grids

Palabras clave:

Publicación: Congreso

1624015019422

18 de junio de 2021

/research/publications/3d-monte-carlo-simulations-of-a-25-nm-gate-length-soi-finfet-using-unstructured-tetrahedral-grids

- M. Aldegunde, A.J. García Loureiro, N. Seoane, R. Valín, K. Kalna

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