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  • AutoríaA. García-Loureiro, M. Aldegunde, N. Seoane, K. Kalna and A. Asenov
  • Fuente11th International Conference on Ultimate Integration on Silicon. Glasgow, Scotland. 2010
Ámbitos científicos
  • Computación de altas prestaciones
  • Tecnologías lingüísticas

Impact of Random Dopant Fluctuations on a Tri-Gate MOSFET

Palabras clave:

Publicación: Congreso

1624015020748

18 de junio de 2021

/research/publications/impact-of-random-dopant-fluctuations-on-a-tri-gate-mosfet

- A. García-Loureiro, M. Aldegunde, N. Seoane, K. Kalna and A. Asenov

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