Congreso

Congreso

AutoríaR.Valín, C.Sampedro, N.Seoane, M.Aldegunde, A.J.García Loureiro, A.Godoy, F.Gámiz
Fuente6th Workshop of the Thematic Network on Silicon on Insulator technology, devices and circuits, Grenoble 2010

Ámbitos científicos

Computación de altas prestaciones
Tecnologías lingüísticas

Channel Inversion Charge Dependence on Silicon Thickness in Ultra Thin Double-Gate SOI MOSFETs

Palabras clave:

Publicación: Congreso

1624015020590

18 de junio de 2021

/research/publications/channel-inversion-charge-dependence-on-silicon-thickness-in-ultra-thin-double-gate-soi-mosfets

- R.Valín, C.Sampedro, N.Seoane, M.Aldegunde, A.J.García Loureiro, A.Godoy, F.Gámiz

publications_es

Rúa de Jenaro de la Fuente Domínguez,
15782 - Santiago de Compostela.
Telf. +34 881 816 400 · Mail: citius@usc.es

Síguenos

CiTIUSContacto Equipo Intranet

ExploraVideoteca Publicaciones Ámbitos científicos

© 2025 Centro Singular de Investigación en Tecnoloxías Intelixentes da USC

Política de privacidad Mapa del sitio Fondos Europeos