Simulation study of scaled In0.53Ga0.47As and Si FinFETs for sub-16 nm technology nodes
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Publicación: Artículo
1624014946966
18 de junio de 2021
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- N. Seoane, M. Aldegunde, D. Nagy, M. A. Elmessary, G. Indalecio, A. J. Garcia-Loureiro and K. Kalna - 10.1088/0268-1242/31/7/075005
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