Defensa de Tese: 'Deseño de novos conversores de potencia láser baseados en carburo de silicio de alta eficiencia'

Esta tese estuda dúas rutas para aumentar a eficiencia da tecnoloxía LPC. A primeira é a introdución na arquitectura hLPC común de tres semiconductores de alta banda prohibida como materiais base para LPCs: os polimorfos de carburo de silicio (SiC) 3C, 4H e 6H. A segunda consiste na implementación destes materiais en arquitecturas avanzadas de LPC desenvolvidas para reducir as perdas por resistencia en serie, sendo estas configuracións os conversores de potencia láser verticais (vLPC) e a Arquitectura Heteroestrutural Epitaxial Vertical (VEHSA). Ademais, esta segunda ruta requiriu o desenvolvemento de técnicas de optimización para a arquitectura VEHSA. O traballo presentado abre unha ruta prometedora para transmitir de forma eficiente densidades de potencia láser ultra-altas.