Defensa de Tese: 'Estudio estatístico de fluctuacións en transistores MOSFET multiporta ultraescalados'

Os transistores baseados en tecnoloxía MOS (Metal-Oxide-Semiconductor) son fundamentais no desenvolvemento de dispositivos electrónicos domésticos e industriales, sendo base das unidades de memoria e procesamento computacionais. A reducción de tamaño destes dispositivos seguiu a denominada Lei de Moore, ata que numerosas dificultades de carácter físico apareceron fruto da pequena dimensionalidade destes dispositivos. Ademáis dos errores derivados da fabricación, existen procesos de carácter físico como a natureza discreta do átomo, o efecto túnel ou o confinamento cuántico, que producen desviacións respecto ao comportamiento ideal do dispositivo. As dimensións dos dispositivos actuais e o plantexamento de novas arquitecturas dificulta a metodoloxía clásica de proba e error, facendo imprescindible o uso de novas ferramentas para o seu desenvolvemento como o diseño asistido pola computadora ou TCAD.

Neste contexto estudiarase o impacto de diferentes fontes de variabilidade (granularidade metálica, rugosidade superficial, rugosidade de porta ou fluctuacións por dopantes aleatorios) sobre diferentes arquitecturas MOSFET (FinFET, nanowire FET e nanosheet FET).  O traballo consistirá no diseño e simulación 3D destos dispositivos aplicando a metodoloxía TCAD, xunto co seu posterior tratamiento e análisis de datos a través da realización de estudos estadísticos de variabilidade e desenvolvemento de modelos empíricos. Todo isto terá o fin de determinar que arquitecturas son máis vantaxosas fronte a determinadas fontes de variabilidade de cara aos futuros nodos tecnolóxicos.

Directores;: Antonio García Loureiro e Natalia Seoane Iglesias