Congreso

Congreso

AutoríaN. Seoane, M. Aldegunde, K. Kalna and A. J. Garcia-Loureiro
DOI10.1109/SISPAD.2014.6931611
Fonte2014 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD), Mielparque Yokohama, Yokohama 2014

Ámbitos científicos

Computación de altas prestacións
Tecnoloxías lingüísticas

MC/DD Study of Metal Grain Induced Current Variability in a Nanoscale InGaAs FinFET

Palabras clave:

Publicación: Congreso

1624015031459

18 de xuño de 2021

/research/publications/mcdd-study-of-metal-grain-induced-current-variability-in-a-nanoscale-ingaas-finfet

- N. Seoane, M. Aldegunde, K. Kalna and A. J. Garcia-Loureiro - 10.1109/SISPAD.2014.6931611

publications_gl

Rúa de Jenaro de la Fuente Domínguez,
15782 - Santiago de Compostela.
Telf. +34 881 816 400 · Mail: citius@usc.es

Síguenos

CiTIUSContacto Equipo Intranet

ExploreVideoteca Publicacións Ámbitos Científicos

© 2024 Centro Singular de Investigación en Tecnoloxías Intelixentes da USC

Política de privacidade Mapa do sitio FEDER