Investigación
Publicacións
Congreso
Congreso
  • AutoríaA. García-Loureiro, M. Aldegunde, N. Seoane, K. Kalna and A. Asenov
  • Fonte11th International Conference on Ultimate Integration on Silicon. Glasgow, Scotland. 2010
Ámbitos científicos
  • Computación de altas prestacións
  • Tecnoloxías lingüísticas

Impact of Random Dopant Fluctuations on a Tri-Gate MOSFET

Palabras clave:

Publicación: Congreso

1624015020748

18 de xuño de 2021

/research/publications/impact-of-random-dopant-fluctuations-on-a-tri-gate-mosfet

- A. García-Loureiro, M. Aldegunde, N. Seoane, K. Kalna and A. Asenov

publications_gl

Rúa de Jenaro de la Fuente Domínguez,
15782 - Santiago de Compostela.
Telf. +34 881 816 400 · Mail: citius@usc.es

Síguenos
CiTIUSContactoEquipoIdentidadeIntranet
ExploreVideotecaPublicaciónsÁmbitos Científicos

© 2026 Centro Singular de Investigación en Tecnoloxías Intelixentes da USC

Política de privacidadeMapa do sitioFondos Europeos
Universidade de Santiago de Compostela - USC
Centro Oportunius
CIGUS - Centros de Investigación del Sistema Universitario de Galicia
Cofunded by European Union
European Funds
Xacobeo 2027